Číslo produktu výrobce:
RSQ025P03HZGTR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RSQ025P03HZGTR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventář:
1016 Ks Nový Originál Skladem
12974706
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RSQ025P03HZGTR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
320 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
950mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TSMT6 (SC-95)
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
RSQ025
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
846-RSQ025P03HZGTR
846-RSQ025P03HZGCT
846-RSQ025P03HZGDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DI040P04PT
MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
SIHG24N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
FDMC7678-L701
PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
