RSS070P05TB1
Číslo produktu výrobce:

RSS070P05TB1

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

RSS070P05TB1-DG

Popis:

MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Podrobný popis:
P-Channel 45 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventář:

12929993
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

RSS070P05TB1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
45 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
47.6 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
846-RSS070P05TB1TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
RSH070N05TB1
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4990
DiGi ČÍSLO DÍLU
RSH070N05TB1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.45
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
microsemi

JANTX2N6798U

MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC

alpha-and-omega-semiconductor

AOY2N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO251

stmicroelectronics

STP50N65DM6

MOSFET N-CH 650V 33A TO220

microsemi

JANTXV2N6798U

MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC