RUR020N02TL
Číslo produktu výrobce:

RUR020N02TL

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

RUR020N02TL-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3

Inventář:

9907 Ks Nový Originál Skladem
13525565
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

RUR020N02TL Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
540mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TSMT3
Balení / pouzdro
SC-96
Základní číslo výrobku
RUR020

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
RUR020N02MGTL
RUR020N02TLTR
RUR020N02TL-ND
Q8382218
RUR020N02TLCT
RUR020N02TLDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

RD3H160SPTL1

MOSFET P-CH 45V 16A TO252

rohm-semi

RSS070P05FU6TB

MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP

rohm-semi

RD3P175SNFRATL

MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252

rohm-semi

RS1E240BNTB

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP