Číslo produktu výrobce:
RUR020N02TL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RUR020N02TL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Inventář:
9907 Ks Nový Originál Skladem
13525565
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RUR020N02TL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
540mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TSMT3
Balení / pouzdro
SC-96
Základní číslo výrobku
RUR020
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RUR020N02MGTL
RUR020N02TLTR
RUR020N02TL-ND
Q8382218
RUR020N02TLCT
RUR020N02TLDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RD3H160SPTL1
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
RSS070P05FU6TB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
RD3P175SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
