Číslo produktu výrobce:
RV4E031RPTCR1
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RV4E031RPTCR1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.5W Surface Mount, Wettable Flank DFN1616-6W
Inventář:
12968211
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RV4E031RPTCR1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
105mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.5W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balíček zařízení dodavatele
DFN1616-6W
Balení / pouzdro
6-PowerWFDFN
Základní číslo výrobku
RV4E031
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
846-RV4E031RPTCR1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
ISP98DP10LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
IPT013N08NM5LF
SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V