Číslo produktu výrobce:
RZF020P01TL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RZF020P01TL-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Inventář:
11431 Ks Nový Originál Skladem
13526334
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RZF020P01TL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 6 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
800mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TUMT3
Balení / pouzdro
3-SMD, Flat Leads
Základní číslo výrobku
RZF020
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RZF020P01TLTR
RZF020P01TLDKR
RZF020P01TL-ND
RZF020P01TLCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RP1E100XNTR
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
RZF030P01TL
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
RSR020N06TL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3