Číslo produktu výrobce:
SCT3120ALGC11
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
SCT3120ALGC11-DG
Popis:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventář:
6940 Ks Nový Originál Skladem
13526426
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SCT3120ALGC11 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
21A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
18V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 3.33mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
103W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247N
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
SCT3120
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
Q12567120
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RTM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
