SCT3160KLGC11
Číslo produktu výrobce:

SCT3160KLGC11

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

SCT3160KLGC11-DG

Popis:

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventář:

2223 Ks Nový Originál Skladem
13527019
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SCT3160KLGC11 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
18V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
208mOhm @ 5A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
398 pF @ 800 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
103W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247N
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
SCT3160

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
30

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

RT1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST

rohm-semi

RQ6E040XNTCR

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6

rohm-semi

RQ5P010SNTL

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

rohm-semi

RSQ025P03TR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6