SH8MA3TB1
Číslo produktu výrobce:

SH8MA3TB1

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

SH8MA3TB1-DG

Popis:

MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 7A (Ta), 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventář:

19709 Ks Nový Originál Skladem
13525664
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SH8MA3TB1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Ta), 6A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V, 480pF @ 15V
Výkon - Max
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP
Základní číslo výrobku
SH8MA3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
SH8MA3TB1CT
SH8MA3TB1TR
SH8MA3TB1DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

SH8M70TB1

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP

rohm-semi

UT6MA3TCR

MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8

rohm-semi

SP8M3TB

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

rohm-semi

SH8K37GZETB

MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP