SP8M3HZGTB
Číslo produktu výrobce:

SP8M3HZGTB

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

SP8M3HZGTB-DG

Popis:

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 4.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventář:

2325 Ks Nový Originál Skladem
12996375
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SP8M3HZGTB Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Ta), 4.5A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Výkon - Max
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP
Základní číslo výrobku
SP8M3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
846-SP8M3HZGTBTR
846-SP8M3HZGTBCT
846-SP8M3HZGTBDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L820R,LXHF

MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF

nxp-semiconductors

2N7002PS/ZLX

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

fairchild-semiconductor

FDMC8200

MOSFET N-CH