Číslo produktu výrobce:
SP8M6HZGTB
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
SP8M6HZGTB-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventář:
2496 Ks Nový Originál Skladem
12967422
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SP8M6HZGTB Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Ta), 3.5A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Výkon - Max
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP
Základní číslo výrobku
SP8M6
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
846-SP8M6HZGTBTR
846-SP8M6HZGTBCT
846-SP8M6HZGTBDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
HS8MA2TCR1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN
AO8801A_001
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
CSD86356Q5DT
MOSFET 25V
