Číslo produktu výrobce:
UM6J1NTN
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
UM6J1NTN-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6
Inventář:
18837 Ks Nový Originál Skladem
13526448
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
UM6J1NTN Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
200mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 10V
Výkon - Max
150mW
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
UMT6
Základní číslo výrobku
UM6J1
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Dokumenty spolehlivosti
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
UM6J1NTNCT
UM6J1NTNDKR
UM6J1NTNTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SP8J5TB
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
SP8M51FRATB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
SH8KA2GZETB
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP