Číslo produktu výrobce:
US6M2GTR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
US6M2GTR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Inventář:
13526172
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
US6M2GTR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V, 20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.5A, 1A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-SMD, Flat Leads
Balíček zařízení dodavatele
TUMT6
Základní číslo výrobku
US6M2
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
US6M2GDKR
US6M2GCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8