Číslo produktu výrobce:
SMA5127
Product Overview
Výrobce:
Sanken Electric USA Inc.
Číslo dílu:
SMA5127-DG
Popis:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12SIP
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 4A 4W Through Hole 12-SIP
Inventář:
13561661
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
u4DR
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SMA5127 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Sanken Electric Co., Ltd.
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
550mOhm @ 2A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V, 320pF @ 10V
Výkon - Max
4W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
12-SIP
Balíček zařízení dodavatele
12-SIP
Základní číslo výrobku
SMA51
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
18
Další jména
SMA5127 DK
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
