Číslo produktu výrobce:
2SD1803S-E
Product Overview
Výrobce:
Sanyo
Číslo dílu:
2SD1803S-E-DG
Popis:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
12946092
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SD1803S-E Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
5 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 3A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
1µA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Výkon - Max
1 W
Frekvence - přechod
180MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Balíček zařízení dodavatele
IPAK/TP
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
461
Další jména
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
Klasifikace životního prostředí a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
2SD1802T-E
TRANS NPN 50V 5A TP
BC556BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
2SD1005-T1-AY
2SD1005 - SIGNAL DEVICE
