Číslo produktu výrobce:
S2M0040120D
Product Overview
Výrobce:
SMC Diode Solutions
Číslo dílu:
S2M0040120D-DG
Popis:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-3
Inventář:
221 Ks Nový Originál Skladem
13001582
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
S2M0040120D Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
SMC Diode Solutions
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
-
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
-
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
VGS (Max)
-
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Další informace
Standardní balíček
25
Další jména
1655-S2M0040120D
-1765-S2M0040120D
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMC035N10X1
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
AS2302
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
