NAND512R3A2BZA6E
Číslo produktu výrobce:

NAND512R3A2BZA6E

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

NAND512R3A2BZA6E-DG

Popis:

IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
Podrobný popis:
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 60 ns 63-VFBGA (8.5x15)

Inventář:

8169542
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NAND512R3A2BZA6E Technické specifikace

Kategorie
Paměť, Paměť
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Programovatelný DiGi-Electronics
Not Verified
Typ paměti
Non-Volatile
Formát paměti
FLASH
Technologie
FLASH - NAND
Velikost paměti
512Mbit
Organizace paměti
64M x 8
Paměťové rozhraní
Parallel
Napište dobu cyklu - slovo, stránka
60ns
Přístupový čas
60 ns
Napětí - napájení
1.7V ~ 1.95V
Provozní teplota
-40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
63-VFBGA
Balíček zařízení dodavatele
63-VFBGA (8.5x15)
Základní číslo výrobku
NAND512

Další informace

Standardní balíček
1,260

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

M93C46-RDS6TG

IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP

stmicroelectronics

M95512-RDW6P

IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP

stmicroelectronics

M95040-WMN6P

IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC

stmicroelectronics

M24C64-DFMN6TP

IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC