SCT025W120G3-4AG
Číslo produktu výrobce:

SCT025W120G3-4AG

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

SCT025W120G3-4AG-DG

Popis:

TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventář:

13269566
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SCT025W120G3-4AG Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
56A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
15V, 18V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
37mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.2V @ 5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 18 V
VGS (Max)
+18V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 800 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
388W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-4
Balení / pouzdro
TO-247-4

Další informace

Standardní balíček
600
Další jména
497-SCT025W120G3-4AG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

SCT040W120G3AG

HIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM