Číslo produktu výrobce:
SCT040H65G3AG
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
SCT040H65G3AG-DG
Popis:
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 221W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventář:
12985643
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SCT040H65G3AG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
15V, 18V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
55mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
39.5 nC @ 18 V
VGS (Max)
+18V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
221W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
H2PAK-7
Balení / pouzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Základní číslo výrobku
SCT040
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-SCT040H65G3AGDKR
497-SCT040H65G3AGCT
497-SCT040H65G3AGTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN4020LFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
SI2319DS-T1-BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
RSR025N05TL
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
