Číslo produktu výrobce:
SCT1000N170
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
SCT1000N170-DG
Popis:
HIP247 IN LINE
Podrobný popis:
N-Channel 1700 V 7A (Tc) 96W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventář:
594 Ks Nový Originál Skladem
12879503
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SCT1000N170 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1700 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
20V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.3Ohm @ 3A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.3 nC @ 20 V
VGS (Max)
+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
133 pF @ 1000 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
96W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
HiP247™
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
SCT1000
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
600
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
G2R1000MT17D
VÝROBCE
GeneSiC Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6559
DiGi ČÍSLO DÍLU
G2R1000MT17D-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.45
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
MSC750SMA170B
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
139
DiGi ČÍSLO DÍLU
MSC750SMA170B-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.02
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STD1NK60-1
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
STW43NM60N
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
