Číslo produktu výrobce:
SCTH50N120-7
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
SCTH50N120-7-DG
Popis:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventář:
12877144
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SCTH50N120-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
65A
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
20V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
5.1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
VGS (Max)
+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
270W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
H2PAK-7
Balení / pouzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Základní číslo výrobku
SCTH50
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SCTH60N120G2-7
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SCTH60N120G2-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
18.07
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STD5N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
