Číslo produktu výrobce:
SCTWA35N65G2V
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
SCTWA35N65G2V-DG
Popis:
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventář:
12939172
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SCTWA35N65G2V Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
45A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
18V, 20V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
72mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
VGS (Max)
+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
73000 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 Long Leads
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
SCTWA35
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-SCTWA35N65G2V
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
MSC060SMA070B
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
26
DiGi ČÍSLO DÍLU
MSC060SMA070B-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.90
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFS5C442NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
NVD5C684NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
PSMN5R0-40MLHX
MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
