Číslo produktu výrobce:
SCTWA60N120G2-4
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
SCTWA60N120G2-4-DG
Popis:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventář:
345 Ks Nový Originál Skladem
12964340
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SCTWA60N120G2-4 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
18V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
52mOhm @ 30A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1969 pF @ 800 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
388W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-4
Balení / pouzdro
TO-247-4
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
497-SCTWA60N120G2-4
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
SSM3K62TU,LXHF
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
SIHH26N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
