Číslo produktu výrobce:
STB100N6F7
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB100N6F7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
1346 Ks Nový Originál Skladem
12870333
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB100N6F7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
STripFET™ F7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1980 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB100
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-15894-2
497-15894-1
497-15894-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STB155N3H6
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
STP6NK70Z
MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB
TP0610K-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
