Číslo produktu výrobce:
STB11N65M5
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB11N65M5-DG
Popis:
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
2000 Ks Nový Originál Skladem
12878641
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB11N65M5 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ V
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
480mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
644 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
85W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB11
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-13144-1
497-13144-2
-497-13144-6
497-13144-6
-497-13144-2
-497-13144-1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STD75N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
STN3P6F6
MOSFET P-CH 60V SOT223
STL115N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
