Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STB18N55M5
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB18N55M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
Poptejte online
12879807
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB18N55M5 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™ V
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
550 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
192mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1260 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB18N
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-11227-5-DG
497-11227-5
497-11227-1
497-11227-2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPB21N50C3ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2928
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPB21N50C3ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.00
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB50R199CPATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB50R199CPATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.45
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB18N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
916
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB18N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.09
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTA460P2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
36
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA460P2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.29
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STB80NF03L-04T4
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
PMPB16XN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
STH250N55F3-6
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
STF16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A TO220