Číslo produktu výrobce:
STB21NM50N-1
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB21NM50N-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
12880300
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB21NM50N-1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
140W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
1805-STB21NM50N-1
-497-5727
497-5727
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPI21N50C3XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
450
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPI21N50C3XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.97
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STP5N80K5
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
STP13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
STF7N52K3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
