Číslo produktu výrobce:
STB23NM50N
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB23NM50N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12878779
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB23NM50N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1330 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB23
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-10874-2
497-10874-6
497-10874-1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPB21N50C3ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2928
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPB21N50C3ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.00
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTA460P2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
36
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA460P2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.29
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STU6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
STP7NK40Z
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
STB18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
