Číslo produktu výrobce:
STB33N60DM6
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB33N60DM6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
264 Ks Nový Originál Skladem
12878403
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB33N60DM6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
128mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB33
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Stručný popis produktu
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
STB33N60DM6-DG
497-STB33N60DM6DKR
497-STB33N60DM6TR
497-STB33N60DM6CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STP31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
STB200NF04-1
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
