Číslo produktu výrobce:
STB36N60M6
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB36N60M6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12876311
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB36N60M6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
44.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB36
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
STB36N60M6-DG
497-18734-6
497-18734-1
497-18734-2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPB60R125C6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2357
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB60R125C6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.54
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STB24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STF25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
STD90N03L-1
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK