STB43N65M5
Číslo produktu výrobce:

STB43N65M5

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STB43N65M5-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

275 Ks Nový Originál Skladem
12878003
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STB43N65M5 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
42A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
63mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB43

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
1,000
Další jména
497-16299-6
497-16299-2
497-16299-1

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STI24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK

stmicroelectronics

STF20NK50Z

MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP

stmicroelectronics

STH145N8F7-2AG

MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2

stmicroelectronics

STP19NM50N

MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB