Číslo produktu výrobce:
STB6N60M2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB6N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
11994 Ks Nový Originál Skladem
12880580
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB6N60M2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ II Plus
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
232 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
60W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STB6N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
STB6N60M2-DG
-497-13934-1
-497-13934-2
497-13934-2
497-13934-1
497-13934-6
-497-13934-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STU16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
STP200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
STD27N3LH5
MOSFET N-CH 30V 27A DPAK