Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STB6NK60Z-1
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STB6NK60Z-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
Poptejte online
12880459
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STB6NK60Z-1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
905 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
STB6NK60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
STx6NK60Z(FP-1)
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-5955-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FQI8N60CTU
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6985
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQI8N60CTU-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.12
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFSL9N60APBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
900
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFSL9N60APBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
FQI7N60TU
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1000
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQI7N60TU-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.32
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFBC30ALPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFBC30ALPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.74
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFBC40LPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFBC40LPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.04
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STL24NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
STB25NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
STT3PF30L
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
STE40NK90ZD
MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP