Číslo produktu výrobce:
STD110N8F6
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STD110N8F6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
2459 Ks Nový Originál Skladem
12879062
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STD110N8F6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
STripFET™ F6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9130 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
167W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
STD110
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
497-16032-6
497-16032-1
497-16032-2
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STD2NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
STP10NM50N
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
STB95N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK