Číslo produktu výrobce:
STD13N60DM2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STD13N60DM2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
2498 Ks Nový Originál Skladem
12874412
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STD13N60DM2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ DM2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
365mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
STD13
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
497-16926-1
497-16926-2
497-16926-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
R6013VND3TL1
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2561
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6013VND3TL1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.17
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPD60R380P6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R380P6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.69
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
STF26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STF21N90K5
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
