Číslo produktu výrobce:
STF10N60M2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STF10N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventář:
2606 Ks Nový Originál Skladem
12874813
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STF10N60M2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ II Plus
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
STF10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
STF10N60M2-DG
5060-STF10N60M2
497-13945-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STD3N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STWA20N95DK5
MOSFET N-CH 950V 18A TO247
STH360N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
