STF12N65M2
Číslo produktu výrobce:

STF12N65M2

Product Overview

Výrobce:

STMicroelectronics

Číslo dílu:

STF12N65M2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventář:

366 Ks Nový Originál Skladem
12877684
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

STF12N65M2 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ M2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
STF12

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
497-15531-5

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STH260N6F6-6

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

stmicroelectronics

STL17N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW37N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 28A TO247

stmicroelectronics

STF34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP