Číslo produktu výrobce:
STFI10N65K3
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STFI10N65K3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventář:
1499 Ks Nový Originál Skladem
12880504
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STFI10N65K3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
SuperMESH3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-281 (I2PAKFP)
Balení / pouzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základní číslo výrobku
STFI10N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-13578-5
-497-13578-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
IRF620
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
STP80N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
