Číslo produktu výrobce:
STFI12N60M2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STFI12N60M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventář:
1487 Ks Nový Originál Skladem
12879272
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STFI12N60M2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ M2
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
538 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-281 (I2PAKFP)
Balení / pouzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základní číslo výrobku
STFI12N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-16015-5
-497-16015-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STF12N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
990
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF12N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.65
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STF25N10F7
MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
STB18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STP12NM50FD
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
