Číslo produktu výrobce:
STFI26NM60N
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STFI26NM60N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventář:
12876617
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STFI26NM60N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
165mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
35W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-281 (I2PAKFP)
Balení / pouzdro
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Základní číslo výrobku
STFI26N
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
-497-12860-5
497-12860-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPI60R190C6XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
495
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPI60R190C6XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.43
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF26NM60N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
957
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF26NM60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.49
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STI26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
STF8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
IRF640FP
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
