Číslo produktu výrobce:
STFU6N65
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STFU6N65-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 620mW (Ta), 77W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventář:
982 Ks Nový Originál Skladem
12878183
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STFU6N65 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
463 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
620mW (Ta), 77W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TA)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
STFU6
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
-497-16968
497-16968
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STF6N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
300
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF6N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.54
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
SCT10N120
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK