Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
STFU9N65M2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STFU9N65M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventář:
Poptejte online
12876202
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STFU9N65M2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ M2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
20W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
STFU9
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
STFU9N65M2
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
R6004ENX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
106
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6004ENX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.60
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FQPF7N60
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
21
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQPF7N60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.17
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
R6004KNX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
331
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6004KNX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.72
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TK6A65D(STA4,Q,M)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
35
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK6A65D(STA4,Q,M)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.73
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TK10A80E,S4X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
101
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK10A80E,S4X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.91
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STH245N75F3-6
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
STP185N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
STWA48N60M6
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
STO36N60M6
N-channel 600 V, 85 mOhm typ.,