Číslo produktu výrobce:
STH180N4F6-2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STH180N4F6-2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventář:
12873268
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STH180N4F6-2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
STripFET™ F6
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7735 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
H2PAK-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STH180
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PSMN1R1-40BS,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3918
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN1R1-40BS,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.44
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
2N6661JTX02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
STP36N55M5
MOSFET N-CH 550V 33A TO220
STP26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
