Číslo produktu výrobce:
STH275N8F7-2AG
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STH275N8F7-2AG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventář:
2000 Ks Nový Originál Skladem
12875794
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STH275N8F7-2AG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
STripFET™ F7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
180A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
193 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
315W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
H2PAK-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
STH275
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
-497-15473-1
-497-15473-2
497-15473-6
-497-15473-6
497-15473-2
497-15473-1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STD70N6F3
MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
STB8NM60T4
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
