Číslo produktu výrobce:
STI150N10F7
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STI150N10F7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventář:
12880899
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STI150N10F7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
STripFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
110A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8115 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-262 (I2PAK)
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
STI150
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
497-15015-5
-497-15015-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STL40N10F7
MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
STSJ25NF3LL
MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC
SCTW90N65G2V
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
