Číslo produktu výrobce:
STI24NM65N
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STI24NM65N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
12879474
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STI24NM65N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
160W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
STI24N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPI65R190C6XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
480
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPI65R190C6XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.52
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STW220NF75
MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
STD20NF06LAG
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK
STB120N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
