Číslo produktu výrobce:
STI33N60M6
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STI33N60M6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventář:
12970758
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STI33N60M6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™ M6
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1515 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
190W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-262 (I2PAK)
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
STI33
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
497-STI33N60M6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STI47N60DM6AG
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
40
DiGi ČÍSLO DÍLU
STI47N60DM6AG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.19
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOB600A70FL
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5461A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
