Číslo produktu výrobce:
STI40N65M2
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STI40N65M2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
811 Ks Nový Originál Skladem
12872321
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STI40N65M2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tube
Řada
MDmesh™ M2
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
99mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2355 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
STI40
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
-1138-STI40N65M2
497-15552-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPI60R125CPXKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
490
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPI60R125CPXKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.00
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STL117N4LF7AG
MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
STD12N60M2
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
STB13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK