Číslo produktu výrobce:
STI90N4F3
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STI90N4F3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
12879672
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STI90N4F3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
STripFET™ III
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
STI9
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BUK7E8R3-40E,127
VÝROBCE
NXP USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1749
DiGi ČÍSLO DÍLU
BUK7E8R3-40E,127-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.41
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
STD60NF55LAT4
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
STL52N25M5
MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
STP110N7F6
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
