Číslo produktu výrobce:
STL12N60M6
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STL12N60M6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.4A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Inventář:
12879873
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STL12N60M6 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
490mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
452 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
48W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerFlat™ (5x6) HV
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
STL12
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
497-19462-2
497-19462-1
497-19462-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STD65N55F3
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
STP8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
STP315N10F7
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
