Číslo produktu výrobce:
STL12N65M5
Product Overview
Výrobce:
STMicroelectronics
Číslo dílu:
STL12N65M5-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 8.5A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Inventář:
56 Ks Nový Originál Skladem
12872994
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
STL12N65M5 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
STMicroelectronics
Balení
-
Řada
MDmesh™ V
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
530mOhm @ 4.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
644 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
48W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerFlat™ (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
STL12
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
-497-13964-6
497-13964-1
497-13964-2
STL12N65M5-DG
-497-13964-2
-497-13964-1
497-13964-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
STW7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
2N7002E-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
STF10LN80K5
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
